IBM a dévoilé une nouvelle technologie de semi-conducteurs reposant sur des transistors au nœud de 0,7 nanomètre, soit 7 angströms. Présentée comme la première technologie de puces située sous le seuil symbolique du nanomètre, cette avancée vise à repousser les limites de la miniaturisation alors que les architectures conventionnelles se rapprochent de contraintes physiques majeures.
Au cœur de cette innovation figure une architecture tridimensionnelle baptisée « nanostack ». Contrairement aux conceptions traditionnelles, où les transistors sont principalement disposés côte à côte, cette approche permet de les empiler verticalement afin d’accroître leur densité tout en limitant l’espace occupé sur la puce.
Selon les projections d’IBM, cette technologie pourrait offrir jusqu’à 50 % de performances supplémentaires par rapport à son nœud de 2 nm présenté en 2021. À niveau de performance comparable, elle pourrait également améliorer l’efficacité énergétique de jusqu’à 70 %. Il s’agit toutefois d’objectifs technologiques annoncés par le groupe et non des performances mesurées sur des processeurs commerciaux déjà disponibles.
Le prototype permettrait d’intégrer près de 100 milliards de transistors sur une surface comparable à celle d’un ongle, soit une densité presque deux fois supérieure à celle de la technologie 2 nm d’IBM. Le groupe fait également état d’une amélioration de 40 % de la densité de la mémoire SRAM, un composant essentiel pour accélérer l’accès aux données dans les processeurs destinés notamment à l’intelligence artificielle.
Cette avancée pourrait contribuer au développement de systèmes d’intelligence artificielle, d’infrastructures cloud et d’équipements électroniques plus puissants et moins énergivores. La technologie demeure néanmoins au stade de la recherche et du développement. IBM n’a pas encore annoncé de partenaire industriel chargé de sa fabrication à grande échelle, tandis qu’une éventuelle production commerciale est envisagée dans les prochaines années.
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